Требования к совершенству и однородности германия постоянно возрастают. Это вызывает необходимость разработки новых технологий получения материала с заданными свойствами. Прежде всего, монокристаллы германия должны иметь низкую плотность дислокаций и не содержать дислокационных скоплений.
В процессе роста методом Чохральского в кристалле необходимо поддерживать малые градиенты температур, т.к. при достижении критических значений возникают термические напряжения, которые приводят к образованию дислокаций.
Причиной появления дислокации обычно считают высокие термические напряжения, возникающие из-за неоднородного распределения температуры в кристалле. В монокристаллах германия выращиваемых из расплава, встречаются дислокационные скопления. Известно, что вероятность их появления в кристалле зависит от направления кристаллизации, реже всего скопления встречаются в кристаллах. Полагают, что когда термические напряжения превосходят критическое напряжение в области пластичности, над фронтом кристаллизации зарождаются дислокации.
